| 对比项目 | 可控硅串联中频电源 | IGBT 中频电源 | 省电优势说明 |
|---|---|---|---|
| 控制方式 | 晶闸管移相调压、半控逆变 | IGBT 高频 PWM 全控逆变 | IGBT 调功柔和,无无效能耗 |
| 电网功率因数 | 0.65~0.85(低负载更低) | 0.95~0.99 | 无功损耗大幅减少,不浪费电费 |
| 工作输出特性 | 低压、大电流 | 高压、小电流 | 按 I²R 损耗,电缆、线圈发热损耗大幅降低 |
| 开关器件损耗 | 换相慢、发热大、损耗高 | 开关速度快、导通损耗低、发热小 | 器件自身耗电发热更少 |
| 整机综合效率 | 80%~85% | 90%~94% | 同等产量,电能转化率更高 |
| 功率调节区间 | 低功率段效率极差、能耗高 | 全功率段效率稳定 | 烘炉、低温熔炼阶段依旧省电 |
| 谐波含量 | 谐波大,增加变压器附加损耗 | 谐波低,电网适配性强 | 厂区配套设备不额外耗电发热 |
| 冶炼速度 | 熔化慢,保温散热损耗大 | 升温快、熔炼周期短 | 缩短加热时间,减少炉体散热损耗 |
| 辅助能耗 | 柜体发热大,水冷、风机负荷高 | 整机温升低,辅机耗电少 | 散热系统额外用电量更低 |
长期生产:连续开炉工况下,综合节电率15%~20%,回本周期短。
可控硅串联柜:大电流、低功率因数,电很多耗在电缆发热、线路损耗、无功浪费上,炉子越低温越费电。
IGBT 电源柜:高压小电流、高功率因数,电能集中用来化料升温,发热损耗少、熔炼快、全程省电