全新IGBT 双单元晶体管中频电源(第四代)介绍

全新IGBT 双单元晶体管中频电源(第四代)介绍

设备优点

▲运行稳定、保护可靠。IGBT模块中频电炉，采用一个驱动板驱动一个模块的方式，可靠性大大超过了以往的单管IGBT中频电炉，即使发生炉体短路、打火、穿钢、水电缆烧断，IGBT都不会损坏，解决了以往同类单管  IGBT 模块一炸一串的缺陷，很大程度的降低了维修费用。

▲实用性方面，设备声音小、皮实耐用、过载能力强、对使用环境没有特殊要求、使用维修简便、费用低。

技术特点

1 、IGBT 中频电源采用电容与感应圈串联形式连接电路，因采用调频调功，整流桥处于不控状态，功率因数高达0.97以上，工作过程中谐波小。

2 、IGBT 晶体管控制特点与可控硅相比不但可以控制导通，还可以任意自主控制关断，不像可控硅被动关断且需要时间，因此逆变功率因数也更高(≥97%), 同等的进线电压(380V)，IGBT中频电源输出的炉体电压更高，IGBT逆变电压在2800V 左右，传统可控硅的逆变电压仅为750**大800V,  电压高了近四倍，线路损耗小，可节能15%。

3、恒功率输出IGBT中频电源调频调功与传统可控硅中频电源调压调功相比，它不受炉料多少、炉衬壁薄厚的影响，在整个熔炼过程中接近恒功率输出。 传统可控硅中频电源加热过程中受磁感量变化大的影响，起初熔炼功率小，影响熔炼速度。可控硅电源的功率是随着熔炼时间及磁感量变化而变化的，由小功率慢慢提高到大功率运行的过程，降低变压器的容量利用率，从而提高了生产成本，在这一点上IGBT中频电源能节能3%～5%左右。