IGBT双单元晶体管中频电源柜与可控硅串联中频电源柜的区别

双管IGBT与可控硅串联都是由整流、逆变、补偿三部分组成，不同处为以下几点：

1：耗能区别；

（1）逆变部分：IGBT中频电源柜的逆变部分是由模块进行逆变的，模块和可控硅的区别在于关断时间，模块的关断时间比可控硅的快60倍，而且即开即停，不需要缓冲，因此每吨铁水比可控硅串联的可节省30度电。

（2）换流电感：由于可控硅关断时间要比模块的慢，在关停的时候需要换流电感来进行缓冲，所以可控硅电炉比IGBT电炉多了换流电感部分，这样可控硅串联电炉会比IGBT电炉每吨铁水多耗20度电。

根据以上两处不同，同种条件下IGBT电炉要比可控硅串联电炉每吨节省50度电。

2：熔炼速度区别；

IGBT模块的关断时间快且没有换流电感，因此在同等功率下IGBT电炉的熔炼速度要比可控硅串联电炉快5-10分钟。

3：维修方面区别；

IGBT控制柜结构简单，维修方便，维修费用低，经过简单培训企业内部电工就能完成独立维修。

4、安全区别；

IGBT 中频电源柜独特的结构设计，彻底解决铜感应圈匝间打火的问题，独特的设计结构还能使炉内铁水的悬浮电压低，对操作工人不会造成伤害，从而保障操作工人的安全。

5：噪音区别；

因为IGBT是电压型控制器件，可控硅是电流型控制器件，所以IGBT电炉要比可控硅电炉的噪音小一半。

6：市场调研实时对比；

近几年由于中国国内电费的上涨，虽然IGBT电炉比可控硅串联电炉价格高，但中国企业在上电炉的时候80%都会选择IGBT新型节能电炉。